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封装形式 |
7
x 5 |
6x3．5 |
| 输出波形 |
TTL |
CMOS |
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频度范围 |
1．000MHz-150.000MHZ(Available
in E/D Function) |
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频率稳定性 |
±50ppm |
| 储存温度 |
-55℃
to 125℃ |
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工作温度 |
0℃
to +70℃(-40℃ to 85℃ available) |
| 输出波形对称性 |
40—60％@1。4VDC(45—55％vailable) |
40—60％@0．5VDD(45—55％available) |
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Input |
电压 |
+5．0VDC±10％(+3．3VDC±10％ava¨able) |
| 电流 |
1．000MH2-3．000MHz，<20mA
3．001MHz-32．000MHz，<35mA
32．000MH2，<45mA |
| 上升时间 |
TR |
<8nS |
| 下降时间 |
TF |
<8nS |
| 输出电压 |
VOL |
0．4VDCMax.
|
0．1VDD Max. |
| VOH |
2．4VDC
Min. |
0．9VDD
Min. |
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输出负载 |
10lSTTL |
15pF |
| 超动时间 |
<10mS |
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抗卫声能力 |
土10ppm
MaX |
标准规格
外观尺寸 单位：mm